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Re: SAMD21G18A 發生Hard Fault
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管理員
 
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您好, 如果電源不穩定時, 可以設置 Comfiguration Bit(FUSE)中的 BOD (BrownOut Detect), 這樣可以在工作電壓低於BOD設置時, 自動Reset MCU, 可避免MCU於低電壓狀態發生誤動作.
發表於: 12/1 9:30
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Re: ATMEGA32U4 flash issue
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管理員
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請問當前的韌體是否有對Flash進行寫入的設計, 比如 設計有 Bootloader 允許更新 Application 區域?
若當前韌體設計只有執行與讀取Flash時, 可以將 LockBit 設置起來避免發生可能的誤寫.
發表於: 12/1 9:27
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Re: 關於內部Nonvolatile Memory讀寫的問題 SAMC21N18A
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管理員
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您好, 首先 RWWEE 與 Flash Emulated EEPROM 的確如您所描述的分屬於不同的區塊, 但都歸類在 NVMCTRL的管轄之下, 這裡有兩篇 APP note相信對於您理解他們之間的區別及應用有很大的幫助
https://ww1.microchip.com/downloads/en ... plicationNote_AT10931.pdf https://ww1.microchip.com/downloads/en ... 3974_Application-Note.pdf 由於 NOR Flash 的特性, 無法如同真正的 EEPROM 達到單一Byte的擦除及寫入, 在32位元的MCU中, 若想擁有一塊特定的非揮發性記憶體區塊, 但是不想額外設計製程容量密度比不同且不一定會用到的的 EEPROM 在 Memory 中時, 通常會使用 Flash 來實現 EEPROM 以達到應用上折衷的需求. RWWEE 又比 Flash Emulated EEPROM 更接近 EEPROM 的使用情境, 因為當程式在Flash執行時, 可以同時對 RWWEE 進行寫入操作. 因此這只能說使用 Flash 來達成的"類"EEPROM 的功能.
發表於: 2023/11/20 11:41
Edited by Libra on 2023年11月21日 09:31:51
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Re: 請問在microchip sample網站訂的樣品,大概多久會到?
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管理員
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您好, 郵差很厲害的, 只要您的5碼郵遞區號寫正確, 鄉下地方也沒問題喔!
英文地址翻譯可以上中華郵政幫您自動翻譯 https://www.post.gov.tw/post/internet/ ... hZone/index.jsp?ID=130112
發表於: 2023/11/15 13:45
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Re: ATMEGA168PB flash corruption
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管理員
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請問觸摸CRYSTAL Pin的行為造成 flash corruption 是因為產品設計上該腳位會被使用者誤觸所導致的嗎?
SPM指令只可在 Boot Program section ( Bootloader) 中執行, 程式應該是真的有進到 bootloader 才會執行到 SPM, 可否確認發生 flash corruption 前, 程式是否進入 bootloader 中 ? 是否為 Reset 導致進入 Bootloader ? 使用外部晶振時, 若Crystal Pin有雜訊導致時脈異常, 有可能令程式停止執行或是產生不可預期的結果.
發表於: 2023/11/15 13:40
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Re: PIC16F ,USART接收問題
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管理員
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兩年前您也遇到過類似的問題呢, 這次是否也有在UART傳送端,
加一行判斷UART是否傳送完成才送下一個字元的判斷式呢? while(!TXSTAbits.TRMT); https://www.microchip.com.tw/modules/n ... ewtopic.php?post_id=81454
發表於: 2023/10/12 7:51
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Re: 關於內部Nonvolatile Memory讀寫的問題 SAMC21N18A
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管理員
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關於 __attribute__ 請參閱 XC32 compiler for SAM/PIC32C 說明
P124 8.11 VARIABLE ATTRIBUTES https://ww1.microchip.com/downloads/en ... 2_PICC_UG_DS50002895A.pdf 關於程式碼 : #define NVMCTRL_FLASH_ROWSIZE (256U) const uint8_t nvm_user_start_address[NVMCTRL_FLASH_ROWSIZE] __attribute__((aligned(NVMCTRL_FLASH_ROWSIZE),keep,externally_visible,space(prog)))= {0}; 幾本上的解讀為宣告一個矩陣 nvm_user_start_address 空間大小為 256 Bytes 256byte 是內部 NVMFlash的Row erase size, aligned用來指定該矩陣所對齊的地址, 也就是起始位址, 即 0x100 keep, externally_visible 用來避免compiler將之忽視, 並且宣告為外部可以參照到的記憶體位址 space(prog) 宣告該矩陣變數所在位址為 Internal Flash(Programming Memory) 簡單來說, 就是在程式記憶體(Flash)中預留一塊大小為256 bytes的空間, 用來進行Flash的讀寫存取. 好處是, 該Flash空間可以隨著程式燒錄時一併預留下來, 而且還是可以直接寫程式定址的一個矩陣. 壞處是, 如果重新燒錄程式時, 就會被一併Erase, 因為該空間屬於程式定址範圍內的區域.  Attach file:  SAMC21_NVM.jpg (490.84 KB)
發表於: 2023/8/25 13:54
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Re: How to read RWWEE section memory by ICD4 device: SAMC21N18A
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管理員
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我這邊實驗是讀得回來的
程式碼如下:
uint32_t TestWriteData[16];
 Attach file: SAMC21_RWWEE.jpg (273.34 KB)
發表於: 2023/8/25 13:08
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Re: 請問SAMD21外部的XOSC32K和XOSC8M在MCC設定問題
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管理員
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您好, SAM系列MCU外部時脈源的接腳為專用, 無須設置腳位提供使用, 只需要將振盪器接在指定腳位並啟用該外部時脈模組即可,請參考SAM2001-MCC課程中, 關於系統時脈的章節
https://www.microchip.com.tw/modules/t ... p?ncsn=2&nsn=222#PageTab5
發表於: 2023/6/5 9:16
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Re: win11系統 MPLAB IDE V8.92 C30 Build pic30-coff-ccl.exe:warning
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管理員
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請問之前這個專案是否使用的是付費的XC Compiler License ?
請檢查Project的Optimal設置, 是否為-O1, 如果最佳化設置為-O2,-O3, or -Os時, 則需要使用付費版的XC Compiler, 如果之前這個專案使用的是付費的 XC Compiler License, 由於 Compiler Lincese 是綁定電腦的, 因此無法轉移到新電腦, 但是 WorkStation 版 XC Compiler 可以使用 Activation Key, 來申請最多三次 License 的機會, 提供給未來更換電腦或是升級時使用, 申請 License 可以到官網 MySoftware 網站申請, (需要當初購買的帳號) https://www.microchip.com/rlmmigrationtool/MySoftware.aspx 安裝步驟請參照 https://www.microchipdirect.com/faq-ma ... 2f-69fd-9699-ff0000260584 "How do I install my Compiler License?"
發表於: 2023/5/5 9:37
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