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1 Anonymous Users
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎？
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新會員
 
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參照：
Ryang 大, 如果讀取,寫入外部 EEPROM ,如 24LC32A , 假設內部其他的中斷層級較高,(需即時控制,不能關閉其他中斷) 透過SMBus 寫入的時候,被其他人中斷了,或讀取的時候被中斷了,start , ack 或 nack 跟 SCL 晚一點送達 EEPROM, 這樣會有怎樣的問題? 不好意思,找不到這方面的資料哩. 
發表於: 2009/3/23 15:40
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎？
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版主
 
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主要還是要看這顆IC的規格，3.3V 時可以跑多快會因IC 的不同而不相同。要查 Data Sheet 後面的AC/DC 電氣特性規格。另外在Oscillator 那個章節也會有幾 MHz 要改為HS的建議表。
發表於: 2009/1/8 11:11
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎？
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高級會員
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因為我司產品是電池的關係!
所以都用3.3V,所以我設XT是正確的囉! 不過還是謝謝版主的解釋,謝謝!
發表於: 2009/1/7 18:22
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎？
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版主
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一個好的震盪電路（以4MHz Crystal)為例，一般的 PIC 在此頻率下其工作電壓可以自 3V~5.5V。總不能在 5V 時可以震盪，電壓降到 3V 時就無法震盪，這樣就有可能匹配不良不是一個良好的震盪電路設計。一個穩定的震盪電路應該是能在全域的工作電壓下都能震盪。
HS Mode = 4V ~ 5.5V XT Mode = 3V ~ 5.5V 範圍下正常震盪。
發表於: 2009/1/7 18:17
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎？
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高級會員
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4MHz設成HS真的沒錯誤訊息耶!!
謝謝版主更正錯的觀念,及解釋原因! 以後4MHz我會都設成HS! 再請問,低於3.3V(3.0V)是否就得設為XT?
發表於: 2009/1/7 18:08
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎？
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資深會員
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原來如此
難怪我有些機種振盪器無法起振 還有有時可以有時不可以的... 以前一開始使用4MHz 由於規格書中XT跟HS兩種模式裡都有4MHz 所以我也就有些機種HS有些XT 目前新機種都改用5.5296MHz 所以都只用HS模式 如果機器不怕耗電 是否震盪在HS模式會比較穩定？ 即使低於4MHz 如果可以起振就沒關係?
發表於: 2009/1/7 17:52
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木亟缶夬金戔
彳艮缶夬金戔 走召缶夬金戔 
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎？
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版主
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參照：
設HS ICD2會有錯誤訊息耶!! 沒見過使用 4MHz Crystal 設成 HS Mode 後 ICD2 嘿有錯誤訊息！ 有些品質不良或Ｑ值較低的 Crystal 設成 XT Mode，因為推動能力有限會造成不容易起振，改成 HS Mode 後推動能力變大 Crystal 比較容易起震。 有一點很重要的是要確定全電壓範圍都可以震盪，用 10M 示波器探棒量 OCS2 輸出確定電壓Vcc在 5.5V ~ 3.0V 時都可以正常的震盪，這樣才算合格了。
發表於: 2009/1/7 17:19
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎？
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高級會員
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PIC在4MHz從SPEC或前輩敎的都是設XT耶!
設HS ICD2會有錯誤訊息耶!! 我的問題會不會是在不容易起震啊? 我再設成HS看看!!
發表於: 2009/1/7 16:54
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎？
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版主
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參照：
目前出問題的是 4M Hz 的振盪器 PIC在4MHz 以上須設成 HS Mode，設成 XT 會不容易起震。 4MHz 設成 HS Mode 是 OK 的，只是比較耗電吧。 有時用 Resonater 時即使頻率在 1MHz 時，也會設成 HS Mode 這樣比較容易起震的。
發表於: 2009/1/7 16:42
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎？
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版主
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I2C的提升電阻跟速度與 Bus的接線長度，速度越快(400KhZ) 電阻就要小一點，一樣線越長電阻也要小一點 4.7K ohm。10k ohm 可以用在 100KH 以下的速度。
SMbus 的 SCL & SDA Schmitt Trigger leval 與標準的 I2C 5V 系統是不一樣的，通常 PIC18F452 在 I2C mode 下 CKE bit 可以設定 SMbus 的準位偵測設定。 我這裡有一些以前寫的 I2C EEPROM 的程式，可以測看看。個人認為還是出在時序的控制問題才會造成不穩定的。
發表於: 2009/1/7 16:38
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