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請問SST26VF032B的動作?
#1
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Dear All :

請問SST26VF032B在第一次使用或者要覆蓋就資料每次要先 :
1. WREN
2. Address
3. Erase sector or Erase Block or Erase chip
4. Write data

註 : Address是都可以?例如 : 0-4095, 1-4096?

謝謝.

發表於: 12/24 10:15
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Re: 請問SST26VF032B的動作?
#2
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這顆 Flash Memory 有兩種 Erase 模式: 一是 Erase All,二是 Block Erase.

資料只能在 0xFF 時寫入,所以當該 Block 要更換資料時就必須先對該 Block 做 Erase 的動作。先將空間都清成 0xFF 後才能寫入資料。

當然,如果要寫入整顆的資料,那就必須先做 Erase All 的動作。

發表於: 12/24 10:28
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Re: 請問SST26VF032B的動作?
#3
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Dear Ryang :

1. 那麼當我連續寫入資料, IC的位址會自動增加?
2. 讀也是, IC的位址會自動增加?
3. 讀寫Address可任意?
如下,在第28頁是甚麼意思 :
When executing Page Program, the memory range for
the SST26VF032B/032BA is divided into 256 byte
page boundaries. The device handles shifting of more
than 256 bytes of data by maintaining the last
256 bytes of data as the correct data to be programmed. If the target address for the Page Program
instruction is not the beginning of the page boundary
(A[7:0] are not all zero), and the number of bytes of
data input exceeds or overlaps the end of the address
of the page boundary, the excess data inputs wrap
around and will be programmed at the start of that target page.

謝謝.

發表於: 12/24 10:35

Edited by jlian on 2020年12月24日 10:56:16
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Re: 請問SST26VF032B的動作?
#4
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清空的記憶體可以用一個 Byte 的方式定位址寫入。這使用在小資料區。

如有較大的資料要寫入可以用 Page Write 的方式寫入。這 Page 大小為 256 Bytes,所以其邊界位址是 0xnn00 的邊界點。這種方式只要設定位址為 0xnn00 後就可以連續寫入 256 Bytes。
但讀取就不受 Page 起始位指的限制可以連續讀取資料。

發表於: 12/24 11:03
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Re: 請問SST26VF032B的動作?
#5
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Dear Ryang :

所以我如果一次寫20Bytes的話則最多只能寫到240?

謝謝.

發表於: 12/24 11:10
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Re: 請問SST26VF032B的動作?
#6
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不懂你的意思。

一個 Page 是256 Bytes, 從邊界起始位址開始寫,最多只能一次連續寫入256Bytes, 如果在中間位址例如 0xnn30 開使始寫的話,那只能連續寫0xC0 個資料。如果超過邊界位址的話,寫入位址會歸回到原邊界位址,造成資料的覆蓋。

發表於: 12/24 14:02
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Re: 請問SST26VF032B的動作?
#7
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Dear Ryang :

1. 了解了, 謝謝.
2. 假如清除晶片後, 萬一有Byte壞了無法清為0xFF, 那在寫入時會如何?

謝謝.

發表於: 12/24 15:11
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Re: 請問SST26VF032B的動作?
#8
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再請問 : Power-Up時IC會自己Reset?

謝謝.

發表於: 12/24 16:22
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Re: 請問SST26VF032B的動作?
#9
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運氣好沒事因為1可以寫成0,但大部份情況是會錯的,所以保險做法是寫完後要再做比對。

發表於: 12/24 19:20
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Re: 請問SST26VF032B的動作?
#10
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Dear Ryang :

那我是不是不要清直接覆蓋即可?

謝謝.

發表於: 12/25 9:06
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