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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
#13
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http://ww1.microchip.com/downloads/en/AppNotes/00797a.pdf
先參考一下這個 Application Note for the TC4427

發表於: 2008/2/13 18:19
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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
#12
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MOSFET的輸入電阻是要看該MOSFET的Ciss(也就是輸入電容),以及Td(Turn delay time)而定。
我幫你看過了IRF2807的DATA SHEET,建議你可用輸入電阻從5.1歐姆放起,不要大過47歐姆,GS間可用220K歐姆。
輸入電阻不一定立即就決定,將來產品在EMI DEBUG時還會更動;當加大時,會使MOSFET TURN ON放慢,大多數情況下,EMI會減小。減小時;MOSFET TURN ON會快,EMI也許會加大,切換損失會較小,也就是效率會較佳。所以是好幾個方向做考量的。我留下Mail,有問題可以和我連絡。
andy@inctech.com.tw

發表於: 2008/2/13 16:30
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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
#11
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感謝您!!!重點是要如何計算電阻值?=>(例如MOSFET的規格IRF2807)MOSFET的G、S間都放上一顆100K-220K之間的電阻以及進GATE也要放一顆約5.1-51歐姆輸入

發表於: 2008/2/13 9:15
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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
#10
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參照:
申請TC4427PMOSFET Drivers *5PCS於測試時發生爆裂燒毀!!!可以再提供Sample?敬請回覆!!

請問一下你的最大瞬間電流與持續工作電流有多大?
CMOSFET Driver 主要是提共瞬間的高電流給後極的驅動端以降低因雜散及寄生電容所造成的延遲效應。如果是使用在持續電流的應用則該元件採用小包裝,所能提供的散熱效果是很低的。
樣品還是可以向代理商要,不然也可以直接到右邊的"申請樣品"下向美國申請。

發表於: 2008/2/13 9:02
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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
#9
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我做過多年的Switching power supply的開發工作,也使用過許多的MOSFET。
一般都會在MOSFET的G、S間都放上一顆100K-220K之間的電阻以及進GATE也要放一顆約5.1-51歐姆輸入電阻(視MOSFET的規格)。
因為MOSFET是一種高輸入阻抗的元件,只要有極小的雜訊就會使MOSFET導通,所一般會放一顆電阻在G、S之間,讓雜訊經由這顆電阻下到地去,不讓雜訊流經G、S讓MOSFET誤動作。
但是;這顆電阻阻值放得太小時,又會和GATE的輸入電組形成分壓,使得VGS的電壓不夠,這會讓MOFET不會導通或是導通的不夠。所以大約會是100K-220K之間。提供您做參考,希望有效。

發表於: 2008/2/12 22:13
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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
#8
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經過測試還是無法改善!!!且向貴司代理商(禾伸堂)申請TC4427PMOSFET Drivers *5PCS於測試時發生爆裂燒毀!!!可以再提供Sample?敬請回覆!!感恩

發表於: 2008/2/12 17:27
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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
#7
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感謝您!!!但是嘗試G 端加入電阻6.8K接地後還是沒有改善!!請教對於電感性負載應該如何解決solution?與PCB LAYOUT有關?

發表於: 2008/2/12 17:10
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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
#6
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嘗試G 端加入電阻6.8K接地後還是沒有改善!!請教對於電感性負載應該如何解決solution?與PCB LAYOUT有關?

發表於: 2008/2/12 17:09
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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
#5
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G 端加入電阻接地後是否有改善?

發表於: 2008/2/12 10:07
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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
#4
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我想"PMOSFET輸入端",應包含G(閘極),G在一定的電壓(恕我沒有去看spec)會導通D/S極,所以有可能在輸入端沒有異常雜訊,而G極的脈衝(noise)有可能導致輸出脈衝(noise),所以可以試著在G極中,加入接地電阻,或小電容等等. 希望有幫助!!! 謝謝

發表於: 2008/2/6 22:47
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