顯示的文字排列看得有點累
你用中斷檢知 ---BTFSS PIR1,ADIF
文中未看到 GIE /PEIE 之設定
中斷致能了嗎??
檢查一下
或改檢知GO/DONE試試
對比一下說不定可很快找出問題

1. NAND FLASH 是何種介面?---SPI
2. 介面問題
-------5V VS 3.6V /3.6V VS 5V
-------還要考慮其他特性
-------困擾+奇怪為何沒有5V S-NAND FLASH

3. 以下為摘錄自華邦網站對W25Pxx系列之介紹請參閱\r

SpiFlash® Memories are a family of Serial Flash devices featuring the popular Serial Peripheral Interface (SPI), densities from 1M-bit to 64M-bit, and performance and packaging tailored for serial code storage and other non-volatile memory applications. All SpiFlash 25P and 25X devices use a 4-pin (clock, chip select, data in, data out) SPI port that is commonly used in microcontrollers, DSPs and ASIC designs. Optional write-protect and hold pins are also provided. Data can be sequentially read at up to 50MHz (25P), 75MHz (25X) and 150MHz equivalent for 25X with Dual Output SPI. Device architecture is organized in multiple pages of 256 bytes per page with typical page program time of <2ms. The 25X family offer small 4KB erasable sectors that simplify memory allocation. Most SpiFlash devices operate on a single 2.7V to 3.6V supply and feature microamp power-down standby (Contact Winbond for information on 2.5V devices). SpiFlash memories from 1Mb to 32Mb are offered in an 8-pin plastic RoHS compliant SOIC 150mil or 208mil bodies that use less than 25% the space of Parallel Flash packages. Higher density SpiFlash memories are also offered is 16-pin plastic 300-mil width SOIC package. Optional packages include 8-contact WSON, DIP and Known Good Die (KGD wafer form). Standard SpiFlash devices are specified for -40° to +85°C (industrial) operating temperature.

感謝版主和Eigen分享經驗
我的困擾:
1.為何MCU+EXT SERIES MEMO. 看到的多是 EEPROM
2.SERIES NAND FLASH IC (8PIN) 8/16/32M bit容量大
為何較少看到和MCU搭配的相關範例/資料,版主提的那2篇
尚未前往拜讀
3.PIC 有出SERIES NAND FLASH 的計畫??
4.最大的困擾是MCU/OP...等線路已設計VDD=5V
現有的SERIES NAND FLASH只找到VDD MAX=3.6V
5. 5V VS 3.6V 介面/MCU降壓...困擾中........
6. Eigen你好--MCU採用PIC18Fxxxx/而我想用的不是sdcard (sdcard 512M這是原問題/我延伸此問題),我想用的是封裝和EEPROM 相同是8PIN的SERIES NAND FLASH 如華邦--W25Xxxx/ST-- M25Pxxxx等..
7.這方式儲存長時間監測資料好用,構想中,請版主/Eigen和有興趣的各位前輩繼續分享經驗 謝謝

問題資訊不足
USE---NTC OR PTC / R=?
重點是設定好
參考電壓+AD轉換
相關的範例程式----右上"範例程式"就有或參考書籍

1.需要的contact rating是：DC 36V 40A---這是大傢伙
重電機.....用
2.PWM去控制繼電器激磁或是不激磁-----如版主所言用
I/O PIN 去控制就可
3.激磁或是不激磁-----DC TYPE 通電/不通電就可控制,
用PWM去控制???有特別原因嗎???
4.coli是DC24V或DC12V----你的POWER DC 12V比較好
可穩壓 5V 給MCU使用故建議採用DC 12V relay
5.用上篇所述光偶合器+一電晶體的控制方式就可

由 cutetank 貼於 2007/10/18 22:52:02
寫到:
1.推動24(V)激磁線圈的繼電器----??AC24V OR DC24V
2.量測PWM訊號大概1.3V---?用電表量的嗎?你有可能量到均值
3.pwm去推動---??為何用pwm去推動,你 要繼電器接點一直
跳動切換嗎?
4.如 DC24V 先用光耦合器(如PC817)隔離一下較安全,PC817另一端TR直接驅動繼電器(注意查一下PC817規格,不過力就換別的),或讓MCU省力些,再多加一個TR驅動就更安全
5.如 AC24V 那就有點麻煩24V應該不是AC

以此問題----延伸請教
假如要用PIC存取外部串列記憶體...8M bit
如何處理??
PIC的外部串列記憶體EEPROM目前MAX=1M bit
用串列 NAND FLASH 可行嗎??
請版主及有經驗的各位大大分享經驗
謝謝

續上篇:
文中所提------要自動調整成 9 所對應到的電阻值
我上篇好像離題了
不知你的用途????
如是要電阻值可考慮
MCU 去控制電子式的 SW IC做切換
CMOS OR 74xxxx系列有很多可用的IC
上篇所示之電路想想就是土製的DAC
說不定DAC(D TO A CONVERTER)就是你要的
DAC 有很多規格可選但成本可能有點貴??
廠商: BB / NS /

慨念類似
把MCU 8 PIN out當作DIP SWITCH 8pin
分壓點接1pin input =AD INPUT
1R串4互並之R如下
PS: ----代表端點銜接 / ALL P接在一起
2.5V--RX=1K----P---------------------------MCU /AD INPUT
--------------------P---R1=8K---TR1 SW---MCU /O1
--------------------P---R2=4K---TR2 SW---MCU /O2
--------------------P---R3=2K---TR3 SW---MCU /O3
--------------------P---R4=1K---TR4 SW---MCU /O4
TR SW 可用常見的2SC945/2SC1815架構
OR USE IC--ULN2003/2004(內有7組)/2803(內有8組)
MCU 控制TR--C=OPEN OR ON--GND
(以下----O=OPEN 1=ON-GND)
1.TR1~4= 0000---- P=2.5V
2.TR1~4= 0001---- P=2.22V
3.TR1~4= 0010---- P=2.0V
4.TR1~4= 0011---- P=1.8V
5.TR1~4= 0100---- P=.......
上面只是一參考這方式有點原始
當作實驗玩玩應還可以
精密電阻的值(不一定如上)要自已配
調整電壓分割的解析度
8PIN 電壓分割會比較細
這樣不知是否合用參考參考吧!!!!
我用想的-----你如有實作結果告訴我 OK!!

由 kyosho 貼於 2007/10/15 20:29:06
寫到
---SPI的速率無法滿足我的應用/不增加晶體頻率的前提下，如 何增大SPI的速率------

感覺上是指速率只差一些
SPI的速率增快一些就可以
如速率有段差距那如版主所言/沒法度
如只差一些----幾點想法提供參考
1.提升和SPI建構的介面元件(如EEPROM)的速率
2.修正主體程式的運作/空出時間讓SPI的動作順利執行

PS: !!很難/還有幾點變動更多不提了/上述二點你應該知道/你不變更晶體頻率大概是主體程式有些運算等等因素不便修正