Hi Libra,

感謝您的回覆~
另外，想再請教關於RWWEE與EEPROM emulation的差異。

以下是我根據Datasheet第9章(Memories)與第27章(NVMCTRL – Nonvolatile Memory Controller)中的了解，不曉得觀念是否正確?

Q1:
首先是針對位址(Address)的部分，以SAMC21N18A型號來說，RWWEE是已經固定好的一塊8KB大小空間，位址為：0x00400000 ~ 0x00401FFF，如Datasheet中Figure 27-3所示。

EEPROM emulation 則是在256KB的Flash中(0x00000000 ~ 0x0003FFFF)，切一塊空間出來模擬EEPROM，大小可以在NVM User Row中選定，並且從最高位址往下切割，如Datasheet中Figure 27-4所示。

EX: NVM User Row (0x804000 [6:4]) 寫入1 ，表示EEPROM Emulation Area Size 為 8Kbytes的大小，位址會落在: 0x0003E000 ~ 0x0003FFFF。

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Q2:
RWWEE 與 EEPROM Emulation之所以稱做EEPROM，是因為其寫入/抹除行為能單一字節做處理嗎?
但按照RWWEE的範例程式來看，一樣只能以頁面(Page or Row)的單位做處理。
若不是以上的原因為何稱為EEPROM?

- ---------------- 我是分隔線 --------------------
1. 兩者分別使用的情境為何?以及RWW (Read While Write)的實際用途?

謝謝

Dear Microchip Team,

參考\HarmonyFramework\csp_apps_sam_c20_c21\apps\nvmctrl\nvmctrl_flash_read_while_write中的範例做練習。
使用NVMCTRL_RWWEEPROM_PageWrite()做資料寫入後，
再用NVMCTRL_RWWEEPROM_Read()()讀取出來做確認，
實驗結果顯示讀取出來的資料與寫入的資料一致，代表應該有成功寫入。

但是用MPLAB + ICD4回讀資料並用Execution Memory查看0x0040_0000 (RWWEE start adress)，
結果卻都顯示00，如附件圖檔所示。

請問RWWEE section的資料是否能用ICD4 + MPLAB X做回讀確認呢?

謝謝

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  RWWEE Question.JPG (303.87 KB)

Dear Microchip Team,

最近再練習MCU內部Memory讀寫的功能，參考了\HarmonyFramework\csp_apps_sam_c20_c21\apps\nvmctrl\ 裡的兩個範例。
兩個範例在宣告記憶體空間的方式不太一樣~

nvmctrl_flash_read_write 中的宣告方式

// Define a constant array in Flash.
// It must be aligned to row boundary and size has to be in multiple of rows
const uint8_t nvm_user_start_address[NVMCTRL_FLASH_ROWSIZE] __attribute__((aligned(NVMCTRL_FLASH_ROWSIZE),keep,externally_visible,space(prog)))= {0};

執行後，使用ICD4回讀整個記憶體的資料，發現寫入的位址是0x1200，但範例程式中並沒有任何起始位址的定義，請問在這樣的情況下，是否就由compiler自行分配位址呢?

在nvmctrl_flash_read_while_write 中的宣告方式
const uint8_t nvm_user_start_address[NVMCTRL_FLASH_ROWSIZE] __attribute__((address(NVMCTRL_FLASH_START_ADDRESS+0x20000),keep,externally_visible,space(prog)))= {0};

這裡就有定義執行位址NVMCTRL_FLASH_START_ADDRESS+0x20000， 如果未來想自己定義起始位置，是否可以使用下面的方式宣告呢?

const uint8_t nvm_user_start_address[NVMCTRL_FLASH_ROWSIZE] __attribute__((aligned(NVMCTRL_FLASH_ROWSIZE),address(NVMCTRL_FLASH_START_ADDRESS+0x20000) ,keep,externally_visible,space(prog)))= {0};

最後，是否有大師知道__attribute__中 keep, externally_visible, space(prog) 這三個關鍵詞的功能是什麼?

謝謝~

Hi KevinLu,

謝謝您的回覆
我這邊將Harmony 的csp、core和core_apps_sam_c20_c21都重新下載，並且將它們都dependencies成相容的版本。
可以成功Generate Code了。

Thanks,
HanChi

Microchip的成員們大家好~

目前我的專案在Harmony 3 Configurator 中執行 Generate Code 會失敗，進度條卡在35%無法完成，並且顯示"An exception occured during file preprocessing"。

Console 顯示的錯誤訊息如figure 1所示，內容看起來跟Systick有相關。
在System方塊下的 >> Cortex-M0+ Configuration >> SysTick disable掉後，可以正常Gen Code，但是只要有勾選就會失敗，SysTick 的設定如figure 2所示。

爬了些文章，內容說跟Harmony 3的Core有相關，figure 3是我的Harmony 3 Core 下載的版本。

想請問這個問題可以如何解決?

謝謝~

MCU type: ATSAMC21N18A
MPLAB X IDE version: v6.00
XC32Compiler version: v4.10

HanChi

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大家好：

最近在變更現有的專案名稱後，執行編譯會出現錯誤。
這些錯誤看起來跟makefile有關，如附件圖片。
若是將專案修改回原來的名稱，又可以正常編譯。

我修改專案名稱的方式，是從MPLAB X IDE中對Project按右鍵中的Rename來進行修改，並且有勾選"Also Rename Project Folder"。

請問會導致編譯錯誤的原因是什麼，以及如何正確變更專案名稱?

IDE Version: v6.00
Compiler: XC32 (v4.10)

謝謝

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  error message.JPG (244.32 KB)

更新~找到更改Source Folder路徑的方法。

project 右鍵 >> Properties >> Categories >> General >> Source Folders

裡頭可以新增或刪除Source路徑

選擇正確的Source路徑，問題解決~

謝謝

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大家好：

Tool: MPLAB X IDE v6.00
Compiler: XC32 (v4.10)

小弟在MPLAB X IDE的其中一個project出現紅色驚嘆號，給出的訊息如下：
"Contains files Error. Look in Files window"

切換至Files window發現這個project的路徑不曉得為何會抓到桌面(...\Desktop)的路徑。
其他正常的project是有抓到正確的檔案路徑(...\src)

請問使否有可以更改此路經的解法?或是其他的解決辦法。

謝謝

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