把TBLPAG=0x7F;调换到
NVMADR=tbl_addr+2*tbl_offset;
WREG0=NVMADR;
之前就不会出现NVMADR清空的问题了，但是执行
NVMCONbits.WR=1;还是没有反应

多谢指教，又让我知道懂得了一些
但是我验证的时候正是用你给我提供的那个文档进行过单步仿真，发现文档的可以，而我的不行，断点的方法也我试过，可还是不行，所以我才提出来问一下的
还有我上面贴的有点错误，忘了对NVMADR赋值了，现在修改如下
unsigned int Write_Data_EE_Word(unsigned char tbl_offset,unsigned int value)
{
unsigned int tbl_addr=0xFC00;
NVMCON=EE_Word_Write_Code;

NVMADR=tbl_addr+2*tbl_offset;
WREG0=NVMADR;
TBLPAG=0x7F;

WREG1=value;
asm("TBLWTL W1,[W0]");

SRbits.IPL=7;
NVMKEY=0x55;
NVMKEY=0xAA;
Nop();
Nop();
//asm("bset.b 0x0761,#7");
NVMCONbits.WR=1;
while(NVMCONbits.WR==1);
NVMCONbits.WREN=0;
SRbits.IPL=0;
}


我发现一个奇怪的问题，我估计是我的NVMADR出了问题，因为我发现一执行完asm("TBLWTL W1,[W0]");
NVMADR里面的内容就自动被清零了，我想应该是这里出了问题，请帮我看看asm("TBLWTL W1,[W0]");这个语句有什么问题，还有就是//asm("bset.b 0x0761,#7");我用这个就能编译过，而用asm("bset NVMCON,#WR")就编译不通过，不知道哪里出问题了。

當程式執行到 NVMKEY=0x55 & NVMKEY=0xAA 時，EEPROM 會進行unlocked程序，此一動作必須是連續動作時才會暫時解鎖，正因單步執行ICD2會執行內部的監督程式，所以導致解鎖動作不連貫那就無法正常謝資料到EEPROM了。所以不要對EEPROM寫入程式作單步的仿真，可以用設定斷點的方式來仿真。

Microchip provided the example cod for access Internal EEPROM:
http://www.microchip.com/stellent/idc ... e=SS_GET_PAGE&nodeId=2509

unsigned int Write_Data_EE_Word(unsigned char tbl_offset,unsigned int value)
{
unsigned int tbl_addr=0xFC00;
TBLPAG=0x7F;
WREG0=tbl_addr+2*tbl_offset;
WREG1=value;
asm("TBLWTL W1,[W0]");
NVMCON=EE_Word_Write_Code;
SRbits.IPL=7;
NVMKEY=0x55;
NVMKEY=0xAA;
Nop();
Nop();
//asm("bset NVMCON,#WR");
NVMCONbits.WR=1;
while(NVMCONbits.WR==1);
NVMCONbits.WREN=0;
SRbits.IPL=0;
}
以上是我片内EEPROM写的一个子程序，在仿真的时候发现一个奇怪的问题就是单步运行到“NVMCONbits.WR＝1”这一步之后，NVMCON中的WR位没办法置1，导致无法进行写操作，不知道为什么，这条指令还受到什么的限制，我看DATASHEET中写到这个位只能软件写1，而不能清零，我想我用的应该没什么错吧，请指教，谢谢！
还有想我用汇编asm("bset NVMCON,#WR")下去试一下，却编译出现这个错误
C:\DOCUME~1\HP\LOCALS~1\Temp/ccgNaaaa.s: Assembler messages:
C:\DOCUME~1\HP\LOCALS~1\Temp/ccgNaaaa.s:5099: Error: Invalid operands specified ('bset NVMCON,#WR').
C:\DOCUME~1\HP\LOCALS~1\Temp/ccgNaaaa.s:5099: Check operand #2. Operand must be between 0 and 15, inclusive.
更不知道怎么纠错