感謝版主提供的資訊
有關5V vs 3.3V / 3.3V vs 5V 的不同電位之介面
正從CMOS OR TTL IC 找合適之品架構中

PIC 的 SPI 的 輸入 (SDI) 為 Schmitt Trigger 輸入準位，資料傳回給 SDI 時， Hi-Level 須達 0.8Vdd (4.0V) 所以用 3.3V 來推是不夠的。可以考慮用電晶體當Level Shifter 或使用 IN4148+加提電組接至5V 端。

1. NAND FLASH 是何種介面?---SPI
2. 介面問題
-------5V VS 3.6V /3.6V VS 5V
-------還要考慮其他特性
-------困擾+奇怪為何沒有5V S-NAND FLASH

3. 以下為摘錄自華邦網站對W25Pxx系列之介紹請參閱\r

SpiFlash® Memories are a family of Serial Flash devices featuring the popular Serial Peripheral Interface (SPI), densities from 1M-bit to 64M-bit, and performance and packaging tailored for serial code storage and other non-volatile memory applications. All SpiFlash 25P and 25X devices use a 4-pin (clock, chip select, data in, data out) SPI port that is commonly used in microcontrollers, DSPs and ASIC designs. Optional write-protect and hold pins are also provided. Data can be sequentially read at up to 50MHz (25P), 75MHz (25X) and 150MHz equivalent for 25X with Dual Output SPI. Device architecture is organized in multiple pages of 256 bytes per page with typical page program time of <2ms. The 25X family offer small 4KB erasable sectors that simplify memory allocation. Most SpiFlash devices operate on a single 2.7V to 3.6V supply and feature microamp power-down standby (Contact Winbond for information on 2.5V devices). SpiFlash memories from 1Mb to 32Mb are offered in an 8-pin plastic RoHS compliant SOIC 150mil or 208mil bodies that use less than 25% the space of Parallel Flash packages. Higher density SpiFlash memories are also offered is 16-pin plastic 300-mil width SOIC package. Optional packages include 8-contact WSON, DIP and Known Good Die (KGD wafer form). Standard SpiFlash devices are specified for -40° to +85°C (industrial) operating temperature.

如果只是單純的 5v 對 3V 的介面問題就很單純，因為只用到幾隻腳而已，不是並列式的介面。 再問一下 你的 NAND FLASH 是何種介面?

感謝版主和Eigen分享經驗
我的困擾:
1.為何MCU+EXT SERIES MEMO. 看到的多是 EEPROM
2.SERIES NAND FLASH IC (8PIN) 8/16/32M bit容量大
為何較少看到和MCU搭配的相關範例/資料,版主提的那2篇
尚未前往拜讀
3.PIC 有出SERIES NAND FLASH 的計畫??
4.最大的困擾是MCU/OP...等線路已設計VDD=5V
現有的SERIES NAND FLASH只找到VDD MAX=3.6V
5. 5V VS 3.6V 介面/MCU降壓...困擾中........
6. Eigen你好--MCU採用PIC18Fxxxx/而我想用的不是sdcard (sdcard 512M這是原問題/我延伸此問題),我想用的是封裝和EEPROM 相同是8PIN的SERIES NAND FLASH 如華邦--W25Xxxx/ST-- M25Pxxxx等..
7.這方式儲存長時間監測資料好用,構想中,請版主/Eigen和有興趣的各位前輩繼續分享經驗 謝謝

如果你要讓寫入的資料也能被 PC 讀出，那就很麻煩

你需要了解 file allocation table (fat) ，那就要看Ryang 提供的那兩個文件。



如果你只是要將sd 當成 93c46 之類的eeprom 使用

那你只要知道如何利用 spi read write sd 卡即可

AN1003 有sdcard.c sdcard.h 這個已經幫你實做出 sdcard 的讀寫，

只是sdcard 一次寫入512 byte， 16系統沒這麼大的 ram 可以做 buffer

你可能還得弄個 512byte 的 eeprom 來做buffer，不然你要用 16 讀寫 sdcard 會很麻煩

I/O 腳可以模擬絕大部分的訊號關鍵是在時間(速度)的問題，Serial NAND FLASH 沒用過，有沒有它的介面？post上來看看。

以此問題----延伸請教
假如要用PIC存取外部串列記憶體...8M bit
如何處理??
PIC的外部串列記憶體EEPROM目前MAX=1M bit
用串列 NAND FLASH 可行嗎??
請版主及有經驗的各位大大分享經驗
謝謝

AN1045 : http://www.microchip.com/stellent/idc ... eId=1824&appnote=en532040
AN1003 : http://www.microchip.com/stellent/idc ... eId=1824&appnote=en024394
這兩個讀完你就是專家了。

最近碰到一個問題.就是做一些訊號的處理.用pic16f系列.
不需要複雜的運算.(又不希望另外買其他燒錄器.希望用原有
的PIC16F系列完成).但需要一個很大的記憶空間.大概需要
兩三百MB才夠.所以我考慮使用SD卡這類的記憶體.MICROCHIP
這邊有提供類似的範例.但是.是存取SD卡內的檔案.使用的CHIP
也比較高階.不符合我的需求.我希望存取這塊SD卡是將他視為
ㄧ個極大的陣列記憶區塊.不知道我該怎麼做呢?

問題二.使用SD 512MB適合嗎? 還是大大們有更好的建議嗎?
(我單純只考慮到記憶卡好取得.價格又便宜)

PS:資料取得地點的關係.所以不方便連接電腦

感謝指點><