請在看一下 NVMCON 暫存器的設定，WREN bit 必須設為 "1"，所以 NVMCON 正確的設定為 0x4041 for 1 row rease.

不好意思 我還是try不出來.......
可以麻煩你寫個範例嗎,假如我想要清除 PROGRAM ADDESS以(0X0170)為起點,清除一個row,我要怎麼做


.equ __30F2023, 1
.include "p30f2023.inc"

.global __reset
.global __NVMInterrupt
.equ PRONG_ADDR, 0x0170

__reset:

MOV #__SP_init,W15
MOV #__SPLIM_init,W0
MOV W0,SPLIM
CALL flashRowErase




LOOP:

NOP
NOP
BRA LOOP

flashRowErase:
MOV #0x0041,W0
MOV W0,NVMCON
MOV #0x00,W0
MOV W0,TBLPAG
MOV #tbloffset(PRONG_ADDR),W0
MOV W0,NVMADR

MOV #0x55,W0
MOV W0,NVMKEY
MOV #0xAA,W1
MOV W1,NVMKEY
BSET LATG,#RG2
BSET NVMCON,#WR
NOP
NOP
RETURN

row erase 就是將一個區塊先做清除(因為是 Flash 的製程)，他無法像一般的 24LCxx 的EEPROM一次可以單獨對一個位址操作(清除、寫入)。所以一次的操作要考慮先將該區塊 32 Instruction Words 先清除後才可以寫入，而且寫入時事先寫到內部的 Image latch 後再啟動寫入動作一次將32 Instruction Words 一次寫入到 Flash 裡。

有關 TBLPAGE 暫存器的用法可以參考 dsPIC30F Peripheral -- Internal EEPROM Module 的workshop 裡的說明，裡面的 EEPROM 的存取也跟Flash相差不遠。

我不太了解意思..想請問一下 有範例程式嗎..還是相關的課程
row Erase ( 32 Instruction area) 這我不太知道是什麼....
還有就是TBLPAG這暫存器的用處是什麼.....
我剛接觸dspic 可能要麻煩大家了.....謝謝各位

不行直接用 W Reg. 直接寫入要清除的位置。你必須先做一個 row Erase ( 32 Instruction area)(使用 NVMADR+NVMADRU) 後才能利用 Table Write 的方式將資料連續寫到 Image Latch (32 words) 後再啟動寫入機制將資料寫入 Flash Memory。

dsPIC30F2023 沒有 EEPROM 的設計，只能用 Flash Memory 去模擬，有關更詳細的說明請參考底下的 pdf 檔。

http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/70052D.pdf

想請問一下有關EEPROM的問題,我看了手冊有關EEPROM的暫存器 NVMADR和NVMADRU
不知道可不可以直接用 W REGISTER直接寫入要清除的位置,

MOV #0XFC00,W0
MOV W0,NVMADR

MOV #0x007F,W0
MOV W0,NVMADRU

MOV #0x4045,W0
MOV W0,NVMCON
MOV #0x55,W0
MOV W0,NVMKEY
MOV #0xAA,W1
MOV W1,NVMKEY
BSET NVMCON,#WR

我使用單步執行觀察NVMADR和NVMADRU暫存器發現值沒有改變,不知道是否還有其他需要設定,還是說要先定義位址.....
可能要麻煩大家 寫個範例程式......
感謝在感謝