最簡的的方式使用嵌入式組合語言(in-Line Assembly)
如何使用要看 C30 User's Guide 或參考 H 檔裡利用 In-Line Assembly 所建立的 Macro 方法。
語法 : asm(“assembly text”);

感謝版主回答

那麼再請問：使用24H的MCU，
以C為開發平台，如何在C中加入一組語?

謝謝!

TBLWTL 是指令，不是暫存器，TBLWTL & TBLETH 是 Table Write Low byte / High byte

這是一段設定 NVMCON 暫存器針對 Flash or EEPROM 的動作設定及解鎖功能(Unlock) 這段因為有時序順序的關係，動作必須做完解鎖動作才能啟動 Flash erase 的動作，一般都是用組語來完成的，這解鎖動作無法用C完成，會造成時序不對無法解鎖。

請問高手

小弟目前在寫PIC24H系列的FLASH MEMORY
ERASE/WRITE 其中遇到一個問題，如下是
24HJ256GP610 SPEC P.58中的範例:
"TBLWTL W0, [W0]"
TBLWITL => 根本無這個暫存器

這段我要如何用C描述呢?



-------------------------------; Set up NVMCON for block erase operation
---MOV #0x4042,W0-----;
---MOV W0,NVMCON------; Initialize NVMCON
-------------------------------; Init pointer to row to be ERASED
---MOV #tblpage(PROG_ADDR),W0 ;
---MOV W0,TBLPAG ------; Initialize PM Page Boundary SFR
-------------------------------; Initialize in-page EA<15:0> pointer
---MOV #tbloffset(PROG_ADDR), W0
---TBLWTL W0,[W0]-------; Set base address of erase block
---DISI #5-------------------; Block all interrupts with priority <7
-------------------------------; for next 5 instructions
---MOV #0x55,W0---------;
---MOV W0,NVMKEY-------; Write the 55 key
---MOV #0xAA,W1---------;
---MOV W1,NVMKEY-------; Write the AA key
---BSET NVMCON,#WR----; Start the erase sequence
---NOP-----------------------; Insert two NOPs after the erase
---NOP-----------------------; command is asserted