Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎?
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資深會員
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加油吧~~祝你好運 !
找到原因之後 記得上來分享一下寶貴經驗
發表於: 2009/1/7 10:20
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎?
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資深會員
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在"WAIT_EE" Lable前一行加入CLRWDT試試看。
發表於: 2009/1/7 8:48
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎?
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資深會員
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電源不穩喔...
應該不會是這問題 因為我昨天測試時沒有接其他外部線路 除了振盪器外其他IO都空的不去控制 我再加一些寫入後讀出檢驗的程式好了 謝囉
發表於: 2009/1/7 8:47
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木亟缶夬金戔
彳艮缶夬金戔 走召缶夬金戔 |
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎?
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資深會員
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發表於: 2009/1/6 19:00
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎?
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資深會員
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我加了nop還是沒效耶
寫入的值都會有問題
MOVLW 55H ;啟始寫入程序
已經有十幾顆有問題了... 由於我以前用PIC18F8621的內建記憶體時 也曾發生這樣所以外接24LC16B來用 現在換了一顆又一直發生 我開始在懷疑 到底是我的寫法有問題,還是內建的EEPROM不穩定...
發表於: 2008/6/14 16:59
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木亟缶夬金戔
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎?
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版主
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照 PIC18F4320 Data Sheet : TABLE 26-1: MEMORY PROGRAMMING REQUIREMENTS 裡的 Erase/Write Time 的需求約 4mS,但一般都回直接 Check EEIF 旗號來判斷瀉入動作是否完成。
程式看起來應該沒問題,但有提及用 ICD2就一切 OK,試試看加入一個 NOP 指令在: BSF EECON1,WR ;開始寫入 nop ; 再測試一下看看。 24LC16B 如果用delay 5mS 是可以的,這種做法只是偷懶了一點,一般還是建議使用 Check ACK 的方式比較能縮短寫入的時間。
發表於: 2008/4/9 14:11
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寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎?
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資深會員
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18F4320
MOVLW 70H ;存放位址 : 70H
我依照規格書上的寫入程序寫入一串資料 大部分都正常 但有一顆會出現錯誤 其中一個資料會變成FF 我偵測完EEIF = 1 後有先清除 過了四五個指令後再寫入其他位址 同一批買的,用了10顆 只有一顆有問題 但如果用ICD2寫入的話就都沒問題 請問要連續寫入內建的記憶體 是否必須像24LC16B那樣必須延遲5ms才可以再寫入?
發表於: 2008/4/8 15:00
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