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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎?
#8
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加油吧~~祝你好運 !

找到原因之後
記得上來分享一下寶貴經驗

發表於: 2009/1/7 10:20
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎?
#7
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在"WAIT_EE" Lable前一行加入CLRWDT試試看。

發表於: 2009/1/7 8:48
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎?
#6
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電源不穩喔...
應該不會是這問題
因為我昨天測試時沒有接其他外部線路
除了振盪器外其他IO都空的不去控制
我再加一些寫入後讀出檢驗的程式好了
謝囉

發表於: 2009/1/7 8:47
木亟缶夬金戔
彳艮缶夬金戔
走召缶夬金戔
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎?
#5
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用ICD2都沒問題的話,那有沒可能是硬體問題造成的

這篇不知道對你有沒可參考性

http://www.xinshili.net/bbs/thread-1147-1-1.html

發表於: 2009/1/6 19:00
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎?
#4
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唔...
今天花了一天時間還是無法解決寫入錯誤的問題
有些可以正常寫入
有些就不行
本來是把記憶體有問題的拿去其他不需儲存的機種用
但是今天老闆叫我分析為何無法儲存
所以這問題無法逃避...

是否可以請板主幫我測試是否IC有問題
同一批來的IC 有些可以儲存有些不能
感覺不太穩定...

發表於: 2009/1/6 18:27
木亟缶夬金戔
彳艮缶夬金戔
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎?
#3
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我加了nop還是沒效耶
寫入的值都會有問題
MOVLW   55H                       ;啟始寫入程序
          MOVWF   EECON2                    
;
          
NOP                               ;延遲
          MOVLW   0AAH                      
;
          
MOVWF   EECON2                    ;
          
NOP                               ;延遲
          BSF     EECON1
,WR                 ;開始寫入
          NOP                               
;延遲
WAIT_EE   BTFSC   EECON1
,WR                 ;若寫入完成WR 0
          BRA     WAIT_EE                   
;

已經有十幾顆有問題了...
由於我以前用PIC18F8621的內建記憶體時
也曾發生這樣所以外接24LC16B來用
現在換了一顆又一直發生
我開始在懷疑
到底是我的寫法有問題,還是內建的EEPROM不穩定...

發表於: 2008/6/14 16:59
木亟缶夬金戔
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Re: 寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎?
#2
版主
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照 PIC18F4320 Data Sheet : TABLE 26-1: MEMORY PROGRAMMING REQUIREMENTS 裡的 Erase/Write Time 的需求約 4mS,但一般都回直接 Check EEIF 旗號來判斷瀉入動作是否完成。
程式看起來應該沒問題,但有提及用 ICD2就一切 OK,試試看加入一個 NOP 指令在:
BSF EECON1,WR ;開始寫入
nop
; 再測試一下看看。

24LC16B 如果用delay 5mS 是可以的,這種做法只是偷懶了一點,一般還是建議使用 Check ACK 的方式比較能縮短寫入的時間。

發表於: 2008/4/9 14:11
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寫入內建的記憶體需要有時間延遲嗎?
#1
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18F4320
MOVLW   70H                       ;存放位址 70H
          MOVWF   EEADR                     
;
          
MOVFF   WKH_HOT,EEDATA            ;
          
CALL    EEP_WT                    ;寫入內建記憶體
   
................
    
以上類似的程式重複好幾次,只是位址不一樣,但沒照順序


;寫入內建EEPROM
EEP_WT
          BCF     INTCON
,GIE                ;禁能中斷
          BCF     EECON1
,EEPGD              ;選擇存取資料EEPROM
          BCF     EECON1
,CFGS               ;
          
BSF     EECON1,WREN               ;致能寫入
          MOVLW   55H                       
;啟始寫入程序
          MOVWF   EECON2                    
;
          
MOVLW   0AAH                      ;
          
MOVWF   EECON2                    ;
          
BSF     EECON1,WR                 ;開始寫入
WAIT_EE   BTFSS   PIR2
,EEIF                 ;若寫入完成EEIF 1
          BRA     WAIT_EE                   
;
          
BCF     PIR2,EEIF                 ;清除EEIF旗標
          BCF     EECON1
,WREN               ;禁止寫入
          BSF     INTCON
,GIE                ;致能中斷
          
RETURN


我依照規格書上的寫入程序寫入一串資料
大部分都正常
但有一顆會出現錯誤
其中一個資料會變成FF
我偵測完EEIF = 1 後有先清除
過了四五個指令後再寫入其他位址
同一批買的,用了10顆
只有一顆有問題
但如果用ICD2寫入的話就都沒問題

請問要連續寫入內建的記憶體
是否必須像24LC16B那樣必須延遲5ms才可以再寫入?

發表於: 2008/4/8 15:00
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